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工业电子元器件
IRFB9N60APBF
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220AB-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
9.2 A
Rds On-漏源导通电阻:
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Qg-栅极电荷:
49 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
配置:
Single
Pd-功率耗散:
170 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
高度:
15.49 mm
长度:
10.41 mm
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.7 mm
商标:
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:
5.5 S
下降时间:
22 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
25 ns
工厂包装数量:
50
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
30 ns
典型接通延迟时间:
13 ns
单位重量:
6 g
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